від 1 шт
Опис
YGW40N065F1 - це потужний транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) із технологією Trench Field Stop, розроблений для високоефективних силових електронних додатків. Він поєднує в собі переваги польових та біполярних транзисторів, забезпечуючи високий вхідний опір, низькі втрати провідності та швидке перемикання.
YGW40N065F1 ідеально підходить для використання в:
- Інвертори для сонячних батарей
- зварювальних апаратах
- індукційних нагрівачів
- безперебійних джерелах живлення (UPS)
- електроприводи змінного струму
- інших додатках, що вимагають високої потужності та ефективності
Характеристики:
- Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Технологія: Trench Field Stop
- Номінальний струм колектора (IC): 40A
- Номінальна напруга колектор-емітер (Vces): 650V
- Опір відкритого каналу (Typ.): 18.5 міліом
- Максимальна напруга затвор-емітер (Vges): ±20V
- Струм затвора (Qg): 63nC (Typ.)
- Час включення (td(on)): 31nS (Typ.)
- Час вимкнення (td(off)): 45nS (Typ.)
- Втрата
Виберіть свою колірну схему
